Nuevo Protocolo de Caché de Baja Latencia para Memoria Flash NAND
Publicado el 12 de noviembre de 2023
Nuestro equipo de I+D ha presentado un avance significativo en la gestión de caché para sistemas embebidos de alta densidad, reduciendo la latencia de escritura en un 22%.
La arquitectura de micro-almacenamiento actual enfrenta el cuello de botella entre el procesador y la memoria no volátil. Los protocolos tradicionales de caché introducen una sobrecarga que es crítica en aplicaciones de tiempo real.
La nueva propuesta, denominada FlashSync, implementa un algoritmo de escritura diferida con pre-búfer inteligente, optimizando los ciclos de la celda NAND y extendiendo su vida útil. Las pruebas en entornos controlados con cargas de trabajo intensivas muestran una mejora sostenida en el throughput.
Resultados de las Pruebas de Benchmark
La validación se realizó sobre una placa de desarrollo personalizada, comparando FlashSync con los métodos estándar del sector. Los datos recopilados confirman la reducción de latencia y una mejor gestión del wear-leveling.
El siguiente paso es la integración del protocolo en nuestro próximo chip controlador, cuyo lanzamiento está previsto para el segundo trimestre del próximo año.